據(jù)科技媒體報道，繼英偉達(dá)之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存 HBM3E。半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)部人士稱，各大科技巨頭已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本，包括 AMD、微軟和亞馬遜等等。

(資料圖)

業(yè)內(nèi)人士消息透露，由于人工智能服務(wù)器需求激增，高帶寬內(nèi)存（HBM）價格已開始上漲。

▍AI大模型火爆，HBM或迎量價齊升

HBM即為高帶寬存儲器，是一種基于3D堆疊工藝的DRAM內(nèi)存芯片，具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸等優(yōu)點(diǎn)。

AI需求激增帶火HBM。TrendeForce發(fā)表研報稱，目前高端AI服務(wù)器GPU搭載HBM芯片已成主流，預(yù)計2023年全球HBM需求量將增近六成，達(dá)到2.9億GB，2024年將再增長30%。

據(jù)測算，到2025年HBM整體市場有望達(dá)到20億美元以上。

▍搶占先機(jī)，各大原廠瘋狂擴(kuò)產(chǎn)HBM

目前，全球前三大存儲芯片制造商正將更多產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)HBM，但由于調(diào)整產(chǎn)能需要時間，很難迅速增加HBM產(chǎn)量，預(yù)計未來兩年HBM供應(yīng)仍將緊張。

據(jù)韓媒報道，三星計劃投資1萬億韓元（約合7.6億美元）擴(kuò)產(chǎn)HBM，目標(biāo)明年底之前將HBM產(chǎn)能提高一倍，公司已下達(dá)主要設(shè)備訂單。另外，三星已收到AMD與英偉達(dá)的HBM訂單。本次三星將在天安工廠展開擴(kuò)產(chǎn)，該廠主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體封裝等后道工藝。

另一存儲芯片巨頭SK海力士已著手?jǐn)U建HBM產(chǎn)線，目標(biāo)將HBM產(chǎn)能翻倍。擴(kuò)產(chǎn)焦點(diǎn)在于HBM3，SK海力士正在準(zhǔn)備投資后段工藝設(shè)備，將擴(kuò)建封裝HBM3的利川工廠。預(yù)計到今年年末，后段工藝設(shè)備規(guī)模將增加近一倍。

實(shí)際上，2023年開年后三星、SK海力士的HBM訂單快速增加，之前另有消息稱HBM3較DRAM價格上漲5倍。

美光將與SK 海力士和三星爭奪市場份額，這兩家公司主導(dǎo)著全球 HBM市場，擁有超過 90% 的市場份額。因此，美光將 HBM3 視為關(guān)鍵的增長動力，預(yù)計其“將在 2024 財年貢獻(xiàn)有意義的收入，并在 2025 年貢獻(xiàn)大幅增加的收入”。

AMD也推出搭載192GBHBM3的MI300X芯片，提供更大容量和更高帶寬。

國產(chǎn)方面，據(jù)證券時報·數(shù)據(jù)寶統(tǒng)計，A股公司中，HBM產(chǎn)業(yè)鏈主要包括雅克科技、拓荊科技、中微公司、香農(nóng)芯創(chuàng)、華海誠科等。

雅克科技子公司UP Chemical是韓國存儲芯片龍頭SK海力士核心供應(yīng)商，供應(yīng)海力士HBM前驅(qū)體。

ALD沉積（單原子層沉積）在HBM工藝中不可或缺，拓荊科技是國內(nèi)ALD設(shè)備的主要供應(yīng)商之一。

TSV技術(shù)（硅通孔技術(shù)）是HBM的核心技術(shù)之一，中微公司是TSV設(shè)備主要供應(yīng)商。

香農(nóng)芯創(chuàng)子公司聯(lián)合創(chuàng)泰是SK海力士的代理商，向SK海力士采購的產(chǎn)品為數(shù)據(jù)存儲器。

華海誠科公司的顆粒狀環(huán)氧塑封料用于HBM的封裝，公司表示應(yīng)用于HBM的材料已通過部分客戶認(rèn)證。

聯(lián)瑞新材表示，HBM封裝高度提升、散熱需求大的問題，顆粒封裝材料（GMC）中就需要添加球硅和球鋁，公司部分客戶是全球知名的GMC供應(yīng)商。

國芯科技表示，目前正在研究規(guī)劃合封多HBM內(nèi)存的2.5D的芯片封裝技術(shù)，積極推進(jìn)Chiplet技術(shù)的研發(fā)和應(yīng)用。

長電科技表示，子公司星科金朋具備超過20年的高性能存儲器芯片成品制造量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，已經(jīng)和國內(nèi)外存儲類產(chǎn)品廠商在高帶寬存儲產(chǎn)品的后道制造領(lǐng)域有廣泛的合作。

（圖源：證券時報·數(shù)據(jù)寶）

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