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巨磁電阻( GMR, giant mag netoresistance) 材料是指在外磁場的作用下電阻發(fā)生顯著變化( 通常是指電阻降低) 的一類功能性材料, 當該類材料的電阻隨外磁場的變化十分巨大時, 也被稱為超磁電阻( CMR, colossal magneto resistance) 材料。

由于它們在電磁器件如磁頭、磁傳感器、磁開關(guān)、磁記錄以及磁電子學等方面具有巨大的應用前景, 因此引起了人們極大的興趣, 對它的研究近年來已成為物理學和材料化學的一個新興的前沿領(lǐng)域。

由于自由電子在磁場下受洛侖茲力作用, 許多物質(zhì)都可呈現(xiàn)磁電阻效應, 但通常是微不足道的。

1988 年人們首次在用分子束外延法制備的Fe/ Cr 多層金屬膜體系中發(fā)現(xiàn)巨磁電阻現(xiàn)象, 之后在金屬間化合物如Sm-Mn-Ge 以及鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的磁性氧化物膜如Nd-Pb-Mn-O、La-Ba-Mn-O、La-Ca-Mn-O 之中均觀察到了巨磁電阻現(xiàn)象 。

特別是近幾年在鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的LaMnO3 衍生物的單晶和薄膜材料中發(fā)現(xiàn)超磁電阻效應后, 這類材料的研究取得了突破性的進展, 許多結(jié)構(gòu)新穎、性能優(yōu)越的巨磁電阻材料相繼被發(fā)現(xiàn), 為巨磁電阻材料的研究開辟了廣闊的領(lǐng)域。

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